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        集成電路的制造過程

        發布時間:2020-05-12   點擊次數:421次

        集成電路的制造過程主要以晶圓為基本材料,經過表面氧化膜的形成和感光劑的涂布后,結合光罩進行曝光、顯像,使晶圓上形成各類型的電路,再經蝕刻、光阻液的去除及不純物的添加后,進行金屬蒸發,使各元件的線路及電極得以形成,后進行晶圓探針檢測;然后切割成芯片,再經粘著、連線及包裝等組配工程而成電子產品。各主要制程單元概述如下:

         氧化與模附著

        原料晶圓在投入制程前,本身表面涂有2μm厚的AI2O3,與甘油混合溶液保護之,晶圓的表面及角落的污損區域則藉化學蝕刻去除。

        為制成不同的元件及集成電路,在芯片長上不同的薄層,這些薄層可分為四類:熱氧化物,介質層,硅晶聚合物及金屬層。熱氧化物中重要的薄層有閘極氧化層(gate oxide;與場氧化層(field oxide),此二層均由熱氧化程序制造。

         

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