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        何為先行片

        發布時間:2020-05-14   點擊次數:451次

        圓片在基區擴散后,發射區擴散前都要做先行片,由先行片的實驗工藝條件來指導批量生產,在測試前需要進行特性光刻開特性孔,特性光刻后進行前處理:在加熱到(75±5)℃的2號液中煮一段時間,然后再進行H2處理,后利用四探針測試儀測試晶體管的特性。

        H2處理的工藝溫度為500℃,進行H2處理的目的是為了改善硅片表面的表面態密度,由于硅片特性光刻后在表面形成很多硅的懸掛鍵,即存在很多表面態,通過H2處理可以將硅懸掛鍵和氫鍵結合從而減少界面態,如果不進行H2處理,特性測試不出來。

        對于三極管(小功率和大功率)來說,主要是雙結測試,主要測試參數有BVCBO、BVCEO、BVEBO、HFE,如果HFE偏小,則需要追加擴散,一般擴散時間越長,HFE越大,當然HFE均勻性也很重要,不能太離散。對于大功率晶體管還需要在基區擴散后進行單結,主要測試BVCBO。

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